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SI4477DY-T1-GE3	文件：261.91 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •AdapterSwitch -Notebook -GameStation	VishayVishay Siliconix 威世科技
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SI4477DY-T1-GE3

文件：261.91 Kbytes

Page：10 Pages

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •AdapterSwitch -Notebook -GameStation

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI4477DY-T1-GE3

文件：193.05 Kbytes

Page：9 Pages

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

详细参数

型号：
SI4477DY-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 30V 6.2mohm @ 4.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI4477DY-T1-GE3供应商更新时间2024-4-25 10:12:00

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