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SI4435DYPBF中文资料PDF规格书
SI4435DYPBF规格书详情
VDSS = -30V
RDS(on) = 0.020Ω
Description
These P-channel HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications..
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
产品属性
- 型号：
SI4435DYPBF
- 功能描述：
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
SOP-8 |
43000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INFIN |
21+ |
SOP8 |
1638 |
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询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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询价 | ||
N/A |
22+ |
NA |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
IR(国际整流器) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
INFIN |
SOP8 |
699839 |
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询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
21+ |
SOP8 |
572 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
SI4435DYPBF |
1134 |
1134 |
询价 | ||||
N/A |
22+23+ |
NA |
20297 |
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询价 |
