SI4435DY中文资料PDF规格书
SI4435DY规格书详情
VDSS = -30V
RDS(on) = 0.020Ω
Description
These P-channel HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications..
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
产品属性
- 型号：
SI4435DY
- 功能描述：
MOSFET 30V SinGLE P-Ch
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
SO8 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
IR |
23+ |
1018 |
SO-8 |
询价 | |||
VISH |
17+ |
SOP |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOP8 |
32732 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
6000 |
询价 | ||||||
SIL |
01+ |
SOIC-8 |
6000 |
绝对原装自己现货 |
询价 | ||
SI |
2316+ |
3.9MM |
3886 |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
879 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | |||
IR |
22+ |
SO-8 |
3500 |
福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务 |
询价 |
