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SI4532ADY-T1-E3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive • Mobile Power Bank

文件:1.23291 Mbytes 页数:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4532CDY-T1-GE3

SOP8

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市英瑞尔电子科技有限公司

SI4700-A09-GMR

QFN24

SILICON

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QFN20

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI4703-C19-GMR

QFN20

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI4532ADY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI4532ADY-T1-E3供应商 更新时间2026-2-1 14:14:00