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SI4800BDY-T1-E3

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21   Available •TrenchFET®PowerMOSFET •High-EfficientPWMOptimized •100UISandRgTested

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI4800BDY-T1-E3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI4800BDY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 9A 2.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI4800BDY-T1-E3供应商 更新时间2024-5-15 15:52:00