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SI4922BDY-T1-E3	文件：254.58 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：254.58 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4922BDY-T1-E3	文件：1.05192 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.05192 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI4947ADY-T1-E3	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	VISHAY/威世上传：深圳台格电子科技有限公司	VISHAY/威世
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SI52147-A01AGMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN48	SILICON LABS 上传：深圳市能元时代电子有限公司	SILICON LABS

详细参数

型号：
SI4922BDY-T1-E3
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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