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SI4963BDY-T1-E3

Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件:1.35076 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI-50246-F

激光封装

LINK-PP

上传:连普电子有限公司

LINK-PP

SI52147-A01AGMR

QFN48

SILICON LABS

SI52147-A01AGMR

QFN48

SILICON/芯科

SI52212-A01AGM

国产代替

详细参数

  • 型号:

    SI4963BDY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 6.2A 2W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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