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SI4922BDY-T1-E3中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI4922BDY-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
2021++ |
TSSOP8 |
6000 |
原装正品价格优势!欢迎询价QQ:385913858TEL:15 |
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VISHAY |
19+ |
SOP8 |
138 |
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VISHAY |
23+ |
8-SOIC |
6680 |
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VISHAY |
2021+ |
SOP8 |
6100 |
百分百原装正品 |
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VISHAY/威世 |
2022 |
SOP |
80000 |
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V |
21+ |
SO-8 |
32565 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
NA |
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VISHAY |
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SOP-8 |
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VISHAY |
2020+ |
SOP8 |
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VIS |
23+ |
SO-8 |
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