| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童SMD |
154488 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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VISHAYSOP-8 |
150 |
23+ |
只做原装全系列供应价格优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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VISHAYSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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FAIRCHILDSOP8 |
1367 |
04+ |
全新原装绝对优势现货特价! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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VISHAY原厂原装 |
2500 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOP8 |
2500 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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SILICONIXSOP8 |
1140 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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VISHAYSOP-8 |
20000 |
23+ |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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INTERSILSOP |
9920 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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FSCSOP-8 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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Siliconix8/SOP |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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VISAHYSOP-8 |
18000 |
23+ |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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SI4920DY图片
SI4920DY-T1-E3价格
SI4920DY-T1-E3价格：￥6.2719品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4920DY-T1-E3多少钱，想知道SI4920DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥6.2719。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4920DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4920DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4920DY-T1-E3报价。
SI4920DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4920DY制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8
SI4920DY-E3功能描述:MOSFET 30V 6.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4920DYT1制造商:Vishay Intertechnologies
SI4920DY-T1功能描述:MOSFET 30V 6.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4920DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 6.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4920DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 6.9A 2.0W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
