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SI4816BDY-T1-GE3	文件：4.11502 Mbytes Page：11 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)=19m2(typ.)@VGs=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGS=4.5V Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGs=10V GS RDSON=14m2(typ.)@V=4.5V DS'ON ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
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TPSI4816BDY-T1-GE3	文件：4.1295 Mbytes Page：11 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)19m2(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGs=4.5V ●Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGS=10V RDSON=14m2(typ.)@VGs=4.5V ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC

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SI4816BDY-T1-GE3

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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)=19m2(typ.)@VGs=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGS=4.5V Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGs=10V GS RDSON=14m2(typ.)@V=4.5V DS'ON ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟電子台舟電子股份有限公司

TECHPUBLIC

SI4816BDY-T1-GE3

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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

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DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)19m2(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGs=4.5V ●Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGS=10V RDSON=14m2(typ.)@VGs=4.5V ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A

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详细参数

型号：
SI4816BDY-T1-GE3
功能描述：
MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	SI4816BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	23+	8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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