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|---|---|---|---|---|
SI4916DY-T1-E3 | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode 文件:261.86 Kbytes 页数:13 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
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详细参数
- 型号:
SI4916DY-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 30 Volt 6.6/8.9 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
SOP-8 |
20300 |
VISHAY/威世原装特价SI4916DY-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
Vishay/Siliconix |
24+ |
SO-8 |
7500 |
询价 | |||
VIS |
23+ |
SOIC-8 |
34283 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY |
16+ |
SOP8 |
8000 |
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08+ |
SOP8 |
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25+ |
SOP8 |
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VISHAY |
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SOP-8 |
2960 |
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VISHAY |
25+ |
SOP-8 |
2500 |
普通 |
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VISHAY |
25+ |
SOP-8 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SOP-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
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更新时间2026-2-10 9:05:00
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