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SI4532CDY-T1-GE3	文件：295.5 Kbytes Page：15 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Conve • Load Switch 文件：295.5 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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详细参数

型号：
SI4532CDY-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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