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SI4778DY-T1-E3 | N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件:244.3 Kbytes 页数:10 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
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详细参数
- 型号:
SI4778DY-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 25V 8.0A 5.0W 23mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2026-2-8 14:14:00
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