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SI4463CDY-T1-GE3	文件：991.52 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
SI4463CDY-T1-GE3	文件：218.24 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技

详细参数

型号：
SI4463CDY-T1-GE3
制造商：
Vishay Siliconix
功能描述：
MOSFET P CH W/D 20V 18.6A SO8
功能描述：
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 18.6A, SO8
制造商：
Vishay Intertechnologies
功能描述：
P-Channel 60 V 0.008 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
功能描述：
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 18.6A, SO8; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-18.6A; Drain Source Voltage
Vds：
-20V; On Resistance
Rds(on)：
0.006ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Power Dissipation
Pd：
5W ;RoHS
Compliant：
Yes
制造商：
Vishay
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 20V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R

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