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SSP6N60	文件：297.88 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Lower RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Lower input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability 文件：297.88 Kbytes 页数：5 Pages	Samsung 三星	Samsung
SSP6N60	文件：279.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：279.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SSP6N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS	Samsung 三星	Samsung
SSQ6N60	文件：483.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：483.58 Kbytes 页数：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SSS6N60	文件：278.83 Kbytes Page：5 Pages	N CHANNEL POWER MOSFETS 文件：278.83 Kbytes 页数：5 Pages	Samsung 三星	Samsung
SSS6N60	文件：1.1738 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET 文件：1.1738 Mbytes 页数：11 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

更多SSP6N60供应商更新时间2025-11-19 19:10:00