选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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VISHAYSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
34000 |
21+ |
原装现货,一站式配套 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAYSOP8 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
1172 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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SILICONIXSOP8 |
1500 |
0452+ |
全新原装绝对自己公司现货 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
10015 |
2021+ |
全新原装现货库存,超低价清仓! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOP-8 |
19025 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市大时代电子有限公司1年
留言
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VISHAYSOP |
1160 |
05+ |
原装正品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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VISHAYROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP-8 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP |
27582 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOP-8 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
25349 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISSOP-8 |
10000 |
23+ |
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深圳市远进半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
15000 |
22 |
3月31原装,微信报价 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
4326 |
新批次 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
15000 |
21+ |
全新原装现货,假一赔十 |
SI4404DY采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4404DY图片
SI4404DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4404DY功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4404DY-E3功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4404DY-T1功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4404DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4404DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W 6.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube