| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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6年
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304VISHAY/威世 |
447 |
8 |
92 |
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11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
25000 |
25+ |
只做进口原装假一罚百 |
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7年
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VISHAY/威世SOP |
800 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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SIL25+ |
15258 |
sop8 |
原装现货库存QQ:373621633 3616872778 |
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12年
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SOP-8 |
2860 |
25+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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8年
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VISHAYSOP8 |
9800 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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3年
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VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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12年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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7年
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SISOP8 |
1000 |
16+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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3年
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SISOP8 |
20000 |
22+ |
只做原装 品质保障 |
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12年
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SISOP-8 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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10年
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VISHAYSOP-8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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11年
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SISOP-8 |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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16年
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SISMD |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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13年
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SISOP8 |
3000 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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SISOP-8 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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8年
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VISHAYSOP-8 |
16800 |
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绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
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17年
留言
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SMD |
3000 |
24+ |
自己现货 |
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18年
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SISOP8 |
211 |
00+ |
全新原装100真实现货供应 |
SI4412采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4412图片
SI4412中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4412ADY功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412ADY-E3功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412ADY-T1功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412ADY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412ADY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 8.0A 2.5W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412DY功能描述:MOSFET SO8 SINGLE NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412DY-E3功能描述:MOSFET 30V 7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412DY-T1制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R
SI4412DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30 Volt 7.0 Amp 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4412DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 7.0A 2.5W 28mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube



























