| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOP |
9852 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SOP |
9852 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
378 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世SOP |
33500 |
23+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
3450 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAYSO-8 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市金睿扬电子科技有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP |
58550 |
20+21+ |
金睿扬电子,只做全新原装正品可订货欢迎咨询QQ微信 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOP |
157 |
0850+ |
原装现货只有原装 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOP |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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VISHAYSOP8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOP8 |
1580 |
21+ |
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOP8 |
6000 |
2016+ |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SILICONIXNA |
11904 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳赋能华科电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOP8 |
2960 |
22+ |
诚信交易大量库存现货 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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VISHAY模块 |
18000 |
23+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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SINA/ |
2275 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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SI3.9 |
2370 |
2022+ |
外省客户优先,深圳现货库存! |
SI4466DY-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4466DY-T1图片
SI4466DY-T1-E3价格
SI4466DY-T1-E3价格：￥4.6342品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4466DY-T1-E3多少钱，想知道SI4466DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥4.6342。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4466DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4466DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4466DY-T1-E3报价。
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更多SI4466DY-T1功能描述:MOSFET 20V 13.2A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4466DY-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 13.2A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4466DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 13.5A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
