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SI2312DS-T1

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:58.76 Kbytes 页数:4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2312DS-T1-GE3

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.04788 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI2319CDS-T1-GE3

SOT-23

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市富利微电子科技有限公司

SI2323DS

SOT-23

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市卓越微芯电子有限公司

SI2323DS-T1-E3

SOT-23-3

VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SI2312DS-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 3.77A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI2312DS-T1供应商 更新时间2026-2-5 14:14:00