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SI2337DS-T1-E3	文件：1.1142 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
SI2337DS-T1-E3	文件：110.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 80-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
SI2337DS-T1-E3	文件：226.17 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 80 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技

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SI2337DS-T1-E3

文件：1.1142 Mbytes

Page：10 Pages

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

SI2337DS-T1-E3

文件：110.27 Kbytes

Page：7 Pages

P-Channel 80-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI2337DS-T1-E3

文件：226.17 Kbytes

Page：10 Pages

P-Channel 80 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

详细参数

型号：
SI2337DS-T1-E3
功能描述：
MOSFET 80V 2.2A 2.5W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI2337DS-T1-E3供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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