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SI2335DS-T1-E3 | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件:1.04696 Mbytes 页数:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
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TSSOP | SILICON | SILICON | ||
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详细参数
- 型号:
SI2335DS-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 12V 4.0A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
SOT-23 |
47775 |
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VISHAY/威世 |
2025+ |
SOT-23 |
5000 |
原装进口,免费送样品! |
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VISHAY |
24+ |
SOT23 |
6520 |
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VISHAY |
25+ |
SOT-23 |
12000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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24+ |
SOT23-3 |
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VISHAY |
23+ |
SOT23 |
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VISHAY |
19+ |
SOT23 |
20000 |
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25+ |
SOT23 |
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SOT-23-3 |
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更新时间2026-1-31 17:25:00
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