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SI2335DS-T1-E3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter

文件:1.04696 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI3019-F-FTR

TSSOP16

SKYWORKS

思佳讯

上传:深圳市科芯源微电子有限公司

SI3050-E1-FTR

TSSOP

SILICON

SI3139KE-TP

SOT-523

MCC美微科

SI3210-KTR

QFN

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI2335DS-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 12V 4.0A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI2335DS-T1-E3供应商 更新时间2026-1-31 17:25:00