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SI2323DDS-T1-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.04793 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI2323DS

SOT-23

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市卓越微芯电子有限公司

SI2323DS-T1-E3

SOT-23-3

VISHAY/威世

SI3019-F-FTR

TSSOP16

SKYWORKS

思佳讯

上传:深圳市科芯源微电子有限公司

SI3050-E1-FTR

TSSOP

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI2323DDS-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶体管极性:

    P-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    20 V

  • 闸/源击穿电压:

    +/- 8V

  • 漏极连续电流:

    5.3 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    39 mOhms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOT-23-3

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI2323DDS-T1-GE3供应商 更新时间2026-2-1 14:14:00