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SI2316BDS-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter

文件:488.29 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI2316BDS-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:221.68 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI2319CDS-T1-GE3

VISHAY
SOT-23

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市富利微电子科技有限公司

SI2323DS

VISHAY
SOT-23

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市卓越微芯电子有限公司

SI2323DS-T1-E3

VISHAY/威世
SOT-23-3

VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SI2316BDS-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
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SOT-23-3TO-236
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更多SI2316BDS-T1-GE3供应商 更新时间2025-10-4 14:14:00