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SI2301	文件：242.42 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • -20V,-2.8A, RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V RDS(ON)=150mΩ@VGS=-2.5V • High dense cell design for extremely low RDS(ON) • Rugged and reliable • High Speed Switching • SOT-23 Package • Marking Code: S1 • Epox 文件：242.42 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
SI2301	文件：377.17 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature ● -20V/-3A, RDS(ON) = 120mΩ(MAX) @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 150mΩ(MAX) @VGS = -2.5V. ● Super High dense cell design for extremely low RDS(ON) ● Reliable and Rugged ● SOT-23 for Surface Mount Package Applications ● Power Management Portable Equipment and Battery 文件：377.17 Kbytes 页数：6 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
SI2301	文件：109.86 Kbytes Page：3 Pages	High dense cell design for extremely low RDS(ON) Plastic-Encapsulate Mosfets FEATURES • High dense cell design for extremely low RDS(ON) • Rugged and reliable • Case Material: Molded Plastic. 文件：109.86 Kbytes 页数：3 Pages	MAKOSEMI 美科半导体	MAKOSEMI
SI2301	文件：728.09 Kbytes Page：6 Pages	P- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package Descriptions P- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. Features Trench FET Power MOSFET 100 Rg Tested. Applications Primarily the display screen drive applications. 文件：728.09 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
SI2301	文件：289.62 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate Mosfets Plastic-Encapsulate Mosfets FEATURES • High dense cell design for extremely low RDS(ON) • Rugged and reliable • Case Material: Molded Plastic. 文件：289.62 Kbytes 页数：3 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
SI2301	文件：330.46 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：330.46 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
SI2301	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal MOSFETS	MCC 美微科	MCC
SI2301A	文件：638.05 Kbytes Page：3 Pages	丝印：A01；Package：SOT-23；P-Channel 20-V(D-S) MOSFET FEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATION Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter 文件：638.05 Kbytes 页数：3 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
SI2301A	文件：773.29 Kbytes Page：3 Pages	丝印：A01；Package：SOT-23；P-Channel 20-V(D-S) MOSFET FEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATION Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter 文件：773.29 Kbytes 页数：3 Pages	UMW 友台半导体	UMW
SI2301ADS	文件：1.73088 Mbytes Page：6 Pages	丝印：2301；Package：SOT23；P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs Application @Battery protection @ Load switch @ Power management 文件：1.73088 Mbytes 页数：6 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

技术参数

Automotive Compliant PPAP readiness：
No
Number of Functions：
Single
Channel：
P
Package：
SOT-23
VDS(V)：
-20
VGS(V)：
±8.0
ID(A)：
-2.8
RDS(ON)Max@VGS=4.5V(Ω)：
0.12
RDS(ON)Max@VGS=2.5V(Ω)：
0.15
VGS(th)Max(V)：
-1
ESD Diode：
No
Status：
Active

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