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SI2301DS-T1

P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

PRODUCT SUMMARY VDS (V)                 rDS(on) (Ω)                ID (A)   -20                0.130 @ VGS = -4.5 V      -2.3                        0.190 @ VGS = -2.5 V      -1.9

文件:55.55 Kbytes 页数:4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2301DS-T1-GE3

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:1.035119 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI2301-TP

SOT-23

MICRO

SI2302

SOT-23

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市天地昆电子有限公司

SI2302

SOT23

VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SI2301DS-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 2.3A 1.25W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI2301DS-T1供应商 更新时间2026-2-2 16:10:00