| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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SIPUSEMISOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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59960 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOT-23 |
690000 |
23+ |
一级分销商 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
7906200 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOT23 |
649 |
1002+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
6500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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VISHAYSOT23 |
50000 |
23+ |
全新原装现货热卖 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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VishayTO-236-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-23 |
15500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
1687 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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59092 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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北京逸博微科技有限公司13年
留言
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VISHAYSOT23 |
949 |
23+ |
自家常备现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
14348 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
9250 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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Vishay/威世NA |
6500 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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SISOT-23 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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SI2309DS价格
SI2309DS价格：￥0.4940品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI2309DS多少钱，想知道SI2309DS价格是多少？参考价：￥0.4940。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI2309DS批发价格及采购报价，SI2309DS销售排行榜及行情走势，SI2309DS报价。
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SI2309DS 深圳克雷威尔科技有限公司
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SI2309DS中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2309DS制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SOT-23
SI2309DS-T1功能描述:MOSFET 60V 1.25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2309DS-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 1.25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2309DS-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 1.25A 1.25W 340mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2309DS-T3制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:60V, P-CH 340mohm 8M CELL TRENCH
