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SI2309DS-T1-GE3	文件：1.67934 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.67934 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI2310	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	VISHIBA 上传：深圳广友电子有限公司	VISHIBA
SI2319CDS-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：深圳市富利微电子科技有限公司	VISHAY
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详细参数

型号：
SI2309DS-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 60V 1.25A 1.25W 340mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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