| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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VISHAYSOT-23 |
3500 |
16+/17+ |
原装正品现货供应56 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOT23 |
10071 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-3 |
1611 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOT-23 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT233 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
3500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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VISHAYNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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SOT23 |
83000 |
23+ |
原装现货特价热销 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23-3 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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SIPEXSSOP |
10000 |
20+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VIHSAY/SILICONIXSOT-23 |
30290 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAYSOT23 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYSOT23 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
30650 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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SI2303BDS价格
SI2303BDS价格：￥0.5460品牌：VISHAY
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SI2303BDS 中航军工 现货，优势库存，低价销售，军工，集成电路IC
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SI2303BDS中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2303BDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel, 30-V(D-S) MOSFET
SI2303BDS_08制造商:SUMIDA 制造商全称:Sumida Corporation 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI2303BDS_RC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters
SI2303BDS-T1功能描述:MOSFET 30V 1.64A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2303BDS-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 1.7A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2303BDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 1.64A 0.9W 200mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
