| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOT23 |
10071 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23-3 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-3 |
1611 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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VISHAYSOT-23 |
3500 |
16+/17+ |
原装正品现货供应56 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT233 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
3500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOT-23 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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VISHAYNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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SOT23 |
83000 |
23+ |
原装现货特价热销 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23-3 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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SIPEXSSOP |
10000 |
20+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYSOT23-3 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
10850 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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SI2303BDS-T1-E3-CUTTAPE价格
SI2303BDS-T1-E3-CUTTAPE价格：￥0.8144品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI2303BDS-T1-E3-CUTTAPE多少钱，想知道SI2303BDS-T1-E3-CUTTAPE价格是多少？参考价：￥0.8144。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI2303BDS-T1-E3-CUTTAPE批发价格及采购报价，SI2303BDS-T1-E3-CUTTAPE销售排行榜及行情走势，SI2303BDS-T1-E3-CUTTAPE报价。
SI2303BDS-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2303BDS-T1功能描述:MOSFET 30V 1.64A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2303BDS-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 1.7A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2303BDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 1.64A 0.9W 200mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
