SI2303BDS-T1
功能描述：
MOSFET 30V 1.64A 1.25W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
最大工作温度：
安装风格：
Through Hole
封装 / 箱体：
Max247
封装：
Tube
SI2303BDS-T1-E3
功能描述：
MOSFET 30V 1.7A 1.25W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
最大工作温度：
安装风格：
Through Hole
封装 / 箱体：
Max247
封装：
Tube
SI2303BDS-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 30V 1.64A 0.9W 200mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
最大工作温度：
安装风格：
Through Hole
封装 / 箱体：
Max247
封装：
Tube
