| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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VISHAYSOT23 |
15000 |
22+ |
N通道30 -V (D -S )的MOSFET |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY SEMICONDUCTORSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
1367 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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芯权科技（深圳）有限公司1年
留言
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VISHAYSOT-23 |
68950 |
23+ |
原装/支持-工厂-含税-拆样 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
21350 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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VISHAYSOT-23 |
6000 |
20+ |
原装,只做原装正品,现货优势供应 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-23 |
16500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
6064 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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VISHAYNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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9000 |
12+ |
SOT-23-3 (TO-236) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYSOT-23-3 (TO-236) |
9000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
6500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAYSOT-23 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
SI2306BDS采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI2306BDS图片
SI2306BDS-T1-GE3价格
SI2306BDS-T1-GE3价格：￥0.6212品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI2306BDS-T1-GE3多少钱，想知道SI2306BDS-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.6212。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI2306BDS-T1-GE3批发价格及采购报价，SI2306BDS-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI2306BDS-T1-GE3报价。
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SI2306BDS-T1-GE3
SI2306BDS-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2306BDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI2306BDST1E3制造商:Vishay Intertechnologies
SI2306BDS-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.0A 0.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2306BDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
