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SI2302CDS-T1-GE3价格

SI2302CDS-T1-GE3价格：￥0.3250品牌：VISHAY

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SI2302CDS-T1-GE3资讯

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SI2302功能描述:MOSFET 20V 3A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2302_11制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

SI23022S99制造商:ABB Control 功能描述:STARTER STAR DELTA 22KW 230V

SI2302ADS制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SOT-23

SI2302ADS-T1功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.7W RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2302ADS-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.06Ohm RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2302ADS-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.9W 60mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2302CDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V(D-S) MOSFET

SI2302CDS-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2302CDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube