SI2302CDS-T1-GE3 20V 710mW SOT-23-3 Power MOSFET

SI2302CDS-T1-GE3产品详细规格

标准包装 3，000

FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS） 20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.6A

Rds（最大）@ ID，VGS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id 850mV @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 5.5nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的 -

功率 - 最大 710mW

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 20 V

最大连续漏极电流 2.6 A

RDS -于 57@4.5V mOhm

最大门源电压 ±8 V

典型导通延迟时间 8 ns

典型上升时间 7 ns

典型关闭延迟时间 30 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

产品种类 MOSFET

RoHS RoHS Compliant

晶体管极性 N-Channel

漏源击穿电压 20 V

源极击穿电压 +/- 8 V

连续漏极电流 2.6 A

抗漏源极RDS （ ON） 0.057 Ohms

配置 Single

最高工作温度 + 150 C

安装风格 SMD/SMT

封装/外壳 SOT-23-3

封装 Reel

下降时间 7 ns

最低工作温度 - 55 C

功率耗散 710 mW

上升时间 7 ns

工厂包装数量 3000

零件号别名 SI2302CDS-GE3

最大门源电压 ±8

包装宽度 1.4(Max)

PCB 3

最大功率耗散 710

最大漏源电压 20

欧盟RoHS指令 Compliant

最大漏源电阻 57@4.5V

每个芯片的元件数 1

最低工作温度 -55

供应商封装形式 SOT-23

标准包装名称 SOT-23

最高工作温度 150

渠道类型 N

包装长度 3.04(Max)

引脚数 3

包装高度 1.02(Max)

最大连续漏极电流 2.6

铅形状 Gull-wing

P（ TOT ） 0.71W

匹配代码 SI2302CDS

单位包 3000

标准的提前期 15 weeks

最小起订量 3000

极化 N-CHANNEL

无铅Defin RoHS-conform

我（D ） 2.6A

V（ DS ） 20V

R（ DS上） 0.075Ohm

FET特点 Logic Level Gate

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.6A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 850mV @ 250μA

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V

FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

功率 - 最大 710mW

漏极至源极电压（Vdss） 20V

闸电荷（Qg ） @ VGS 5.5nC @ 4.5V

封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 SI2302CDS-T1-GE3CT

类别 Power MOSFET

外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

身高 1.02mm

长度 3.04mm

最大漏源电阻 0.057 Ω

最大功率耗散 0.71 W

包装类型 SOT-23

典型栅极电荷@ VGS 3.5 nC V @ 4.5

宽度 1.4mm

RDS（ON） 57 mOhms

漏极电流（最大值） 2.6 A

频率（最大） Not Required MHz

栅源电压（最大值） ?8 V

输出功率（最大） Not Required W

噪声系数 Not Required dB

漏源导通电阻 0.057 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

极性 N

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_

漏源导通电压 20 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

Continuous Drain Current Id :2.9A

Drain Source Voltage Vds :20V

On Resistance Rds(on) :57mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :8V

Threshold Voltage Vgs :850mV

功耗 :710mW

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :-

Current Id Max :2.9A

Junction Temperature Tj Max :150°C

工作温度范围 :-55°C to +150°C

端接类型 :SMD

Voltage Vds Typ :20V

Voltage Vgs Max :850mV

Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V

Voltage Vgs th Max :0.85V

Voltage Vgs th Min :0.4V

　据市场研究公司 IHS Markit 于周四 (12 日) 发表的报告显示，继 2017 年被中国大陆超越之后，韩国在全球电视面板市场中市占率再度被中国台湾所超越。

数据指出，三星显示器和 LG Display 在 2019 年第四季分别生产了 6.65 亿片 (市占率 9%) 和 1.044 亿片 (市占率 14.3%) 的 OLED 和 LCD 电视显示面板。韩国生产的面板在全球市场上中市占率为 23.3%，较上年同期的 31.6%_下跌了 8 个百分点。

群创 、友达和夏普等台湾面板商的市占率皆超过了韩国。特别是，群创在第四季生产了 1，172 万片 (市占率 16%)，超过了 LG Display，并成长为全球第二大显示器制造商。台湾生产的面板在整体市场中占比达到 26%，仅次于中国。

中国大陆在面板市场的占比于 2019 年首次超过 50%。中国厂商竞争性地提高了产量，例如全球第一大显示器制造商京东方 (BOE)、华星光电 (China Star)、惠科 (HKC)、中电熊猫 (CEC Panda) 和彩虹光电 (CHOT)，使生产总数达到了 3，622 万片，超过了韩国和台湾的总和。

针对中国大陆和台湾地区的市占率持续扩大的趋势，韩国显示器产业官员表示：「现在这并不成问题。相反，它反映出三星显示器和 LG Display 向下一代产品的平稳过渡。」

三星显示器曾宣布计划至 2025 年在 QD 显示器上投资 13 兆韩元，加快技术开发的步伐。该公司也计划在明年上半年开始量产大型 QD-OLED。据报导，该公司已将位于忠清南部的 L8-1 生产线改造成 QD 生产线，该生产线每年生产超过 500 万片液晶电视面板 (基于 55 吋面板)。

LG Display 于去年终止了在韩国坡州市的第八代 LCD 工厂。该公司也计划在今年暂停整个韩国的液晶电视面板生产。LG Display 一位高管表示：「我们正计划为其他高附加值产品生产 LCD 面板，例如显示器、笔记本电脑和平板计算机。」

LG 有望在 2020 年第二季开始大幅提高新一代战略产品之一大型 OLED 面板的生产。该公司位于中国广州的 OLED 工厂计划于 4 月份开始大规模生产 OLED 面板。目前广州厂的生产力为每月 60，000 片，正式进入营运状态后，LG Display 的 OLED 面板总产量有望达到每月 130，000 片，每年超过 600 万片。

有显示器市场专家表示，中国厂商需要投资 5 年以上的时间，才可能赶上韩国厂商使用的新一代技术。

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自转向以数据为中心的全方位创新战略以来，英特尔正加速航行。作为重要棋子的FPGA，英特尔也加快了出新步伐。近日，英特尔宣布出货全新Stratix 10 DX FPGA，而基于10nm工艺的Agilex系列已向参与早期使用计划的客户出货，明年将正式量产。

　　异构方案解决加速挑战

　　“众所周知，数据已呈指数级增长，客户所寻求的是将这些数据货币化，希望可通过全新应用以及对现有应用提速来实现货币化的目的，而充分利用这些海量数据就需要异构方案。”英特尔公司网络和自定义逻辑事业部副总裁兼FPGA和电源产品营销总经理Patrick Dorsey指出异构计算在数据时代的优势所在，“这种异构架构包含了CPU、GPU、AI芯片以及FPGA，只有综合性、针对性地解决具体问题，才能打造一个完整的解决方案。”

　　而在异构平台中，FPGA绝对“不可或缺”。随着摩尔定律的放缓以及大数据、AI、5G、自动驾驶等的发展，对计算能力和带宽提出了前所未有的要求，同时新的算法新的框架层出不穷，要应对这一变化就需要灵活应变的FPGA。据预计到2022年，FPGA市场将达到75亿美元的规模，年复合成长率为9%。

　　而数据中心的两大指标需要“和衷共济”：即网络吞吐量必须提高，而时延必须降低。Patrick Dorsey表示，随着服务器需要更高效的计算以处理AI等相关负载，包括FPGA、GPU等在内的硬件加速器被广泛使用，但其有效性能在很大程度上取决于CPU、可用系统内存和加速器之间的通信带宽和延迟。

　　于是乎，在4年前英特尔将Altera纳入囊中之后，可打造“全能异构平台”的英特尔继宣布在中国重庆成立全球最大的FPGA中国创新中心以来，又重磅宣布FPGA组合家族当中的一个全新产品Stratix 10 DX，借力至强处理器Xeon+Stratix 10 DX的“组合拳”应对加速挑战。

　　Xeon+FPGA组合带来高内存扩展能力

　　对于这一全新组合，Patrick Dorsey分析其最大优势在于低时延、高带宽以及内存扩展能力。Stratix 10 DX不仅是英特尔首个支持PCIe Gen4的FPGA，同时通过与至强处理器采取超路径互连UPI，从而带来了关键价值即可快速扩展内存，如可支持8个独立的傲腾DC持久内存控制器，总容量可到4TB。

　　Patrick Dorsey解释说，内存无论是DDR还是傲腾，通过在至强处理器与FPGA之间共享存储，在共享过程中就不用进行数据迁移或拷贝，因数据迁移和拷贝会带来高成本，同时也会降低系统的性能。从新的内存金字塔层级来看，不同类型的内存包括存储、持久性内存以及标准化内存，Stratix 10 DX则可提高塔尖高层级内存性能，如傲腾和DRAM。

　　针对不同应用性能的优化，Patrick Dorsey列出了具体数字：在边缘计算应用中，Stratix 10 DX在拥有UPI之后，比仅使用PCIe的响应速度快37%。而在网络应用中，因支持PCIe Gen4，带宽比前一代PCIe Gen3扩大了两倍，使得数据处理更为快速，同时也拥有以太网功能。而在数据中心方面，通过英特尔的异构即Xeon+FPGA计算，加之PCIe Gen4与UPI的互联，总带宽可提升2.6倍。

　　虽然英特尔已宣布退出5G基带业务，但仍专注于基础设施。对于正式商用的5G，Stratix 10 DX也大有可为。Patrick Dorsey介绍：“Stratix 10 DX可应用于5G基站，其好处体现在低时延，尤其是当5G走向数据中心、在vRAN方面应用时配合至强处理器，可进行诸多网络功能的加速。”

　　目前新款FPGA与至强处理器通过UPI互连，Patrick Dorsey在谈及未来封装一体化问题提及，多样化的FPGA可使得客户进行灵活的配置和优化，集成封装还非必须。

　　下一代Agilex实现诸多创新

　　而祭出的Stratix 10 DX FPGA还只是一个发韧，对于FPGA英特尔的完整路线图已然浮出水面， Agilex FPGA系列也已出货，明年量产。

　　据悉，英特尔Agilex FPGA系列几乎集成了英特尔现阶段所有的技术和创新优势，包括架构、封装、工艺、开发工具以及通过eASIC技术实现降低功耗的快速方式。

　　Patrick Dorsey着重说，Agilex采用英特尔的10nm工艺，可对标业界的7nm水平。并且，Agilex将支持下一代UPI，即基于CXL的开放标准接口，同时还将支持第五代PCIe，其他创新还包括第二代HyperFlex架构、DSP创新等。他还强调，目前UPI只可搭配至强处理器使用，未来CXL将是公开的，可适配任何处理器。而从UPI过渡到CXL，只需对硬件接口和一些软件进行更新。最重要的是开发者已可使用UPI进行应用开发，客户也可向CLX进行无缝转移以及迭代。

　　放眼FPGA领域的两大巨头，在数字时代做出了殊途同归的选择，英特尔的异构平台显然是其重要筹码。Patrick Dorsey最后指出，仅仅拥有四种架构是不够的，为保证客户能够充分利用异构的优势，英特尔一方面面向开发者提供产品路线图以及one-API统一应用开发接口等，另一方面针对端到端的硬件部署与客户展开密切合作。

香港鑫锐电子有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。

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