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TGI7785-60LHA	文件：346.69 Kbytes Page：7 Pages	MICROWAVEPOWERGaNHEMT FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDHEMT ･HIGHPOWER Pout=48.0dBmatPin=41dBm ･HIGHGAIN GL=11.5dBatPin=20dBm ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-25dBc(Min.)atPout=29dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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MICROWAVEPOWERGaAsFET

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更多SGK7785-60A供应商更新时间2024-6-11 11:11:00

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