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TIM7785-60SL

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TOSHIBA

东芝

TIM7785-60SL_08

IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level

文件:156.7 Kbytes 页数:4 Pages

TOSHIBA

东芝

TIM7785-60SL

IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level

Toshiba

东芝

TIM7785-60ULA

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 7.7GHz to 8.5GHz ・HIGH GAIN G1dB= 7.5dB at 7.7GHz to 8.5GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.)= -25dBc at Pout= 41dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件:307.67 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

详细参数

  • 型号:

    TIM7785-60SL

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    MICROWAVE POWER GaAs FET

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更多TIM7785-60SL供应商 更新时间2026-1-21 16:31:00