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TGI7785-60LHA	文件：346.69 Kbytes Page：7 Pages	MICROWAVE POWER GaN HEMT FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDHEMT ･HIGHPOWER Pout=48.0dBmatPin=41dBm ･HIGHGAIN GL=11.5dBatPin=20dBm ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-25dBc(Min.)atPout=29dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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MICROWAVE POWER GaN HEMT

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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MICROWAVEPOWERGaAsFET

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更多TGI7785-60LHA供应商更新时间2025-7-12 15:24:00

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