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RFD16N03L	文件：130.419 Kbytes Page：7 Pages	16A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Logic Level Enhancement-Mode Power MOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,s	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD16N03L	文件：107.16 Kbytes Page：8 Pages	16A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,s	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD16N03LSM	文件：130.419 Kbytes Page：7 Pages	16A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Logic Level Enhancement-Mode Power MOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,s	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD16N03LSM	文件：107.16 Kbytes Page：8 Pages	16A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,s	Intersil Intersil Corporation	Intersil
16N03L	文件：959.96 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
G16N03S	文件：1.0664 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG16N03Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
MCAC16N03	文件：667.81 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PHD16N03LT	文件：298.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=67mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD16N03LT	文件：92.88 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOS??logiclevelFET	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD16N03T	文件：240.51 Kbytes Page：12 Pages	TrenchMOSstandardlevelFET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Productavailability: PHD16N03TinSOT428(D-PAK). Features ■FastSwitching ■TrenchMOSTMtechnology. Applications ■DC-to-DCconverters ■Generalp	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
RFD16N03L
功能描述：
MOSFET TO-251
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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