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RFD7N10LE	文件：361.53 Kbytes Page：7 Pages	7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingamodernprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregula	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD7N10LESM	文件：361.53 Kbytes Page：7 Pages	7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingamodernprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregula	Intersil Intersil Corporation	Intersil
7N10	文件：170.23 Kbytes Page：6 Pages	7Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N10	文件：224.23 Kbytes Page：6 Pages	7A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N10G-TND-R	文件：262.79 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N10L-TND-R	文件：262.79 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N10Z	文件：219.08 Kbytes Page：5 Pages	7A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
FQB7N10	文件：548.34 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB7N10L	文件：556.34 Kbytes Page：9 Pages	100VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD7N10	文件：305.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
RFD7N10LE
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	RFD7N10LE	INTERSIL/FSC	23+	TO-251	28610		询价
深圳市振宏微科技有限公司	RFD7N10LE	HAR	23+	RFD7N10LE	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
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更多RFD7N10LE供应商更新时间2025-7-13 15:03:00

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