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RFD3055SM9A	文件：424.04 Kbytes Page：8 Pages	12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such 文件：424.04 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
RFD3055SM9A	文件：780.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：780.06 Kbytes 页数：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
RFD3055SM9A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
RFFC2071	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂原封	QORVO 威讯联合上传：深圳科宇泰科技有限公司	QORVO
RFFC2072TR13	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	QORVO 威讯联合上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	QORVO

详细参数

型号：
RFD3055SM9A
功能描述：
MOSFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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