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RFD8P05	文件：51.85 Kbytes Page：6 Pages	8A, 50V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregu	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
RFD8P05	文件：938.75 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
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TS8P05G	文件：49.72 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase8.0Amps.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
TS8P05G	文件：227.83 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase8.0Amps.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
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TS8P05G	文件：341.39 Kbytes Page：4 Pages	8A,50V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers	TMTTaiwan Memory Technology Taiwan Memory Technology

详细参数

型号：
RFD8P05
功能描述：
MOSFET TO-251AA P-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多RFD8P05供应商更新时间2024-4-27 14:00:00

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