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RFD8P05	文件：51.85 Kbytes Page：6 Pages	8A, 50V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregu	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD8P05	文件：938.75 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFD8P05SM	文件：51.85 Kbytes Page：6 Pages	8A, 50V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregu	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD8P05SM	文件：913.38 Kbytes Page：4 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
RFP8P05	文件：51.85 Kbytes Page：6 Pages	8A,50V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregu	Intersil Intersil Corporation	Intersil
TS8P05G	文件：341.39 Kbytes Page：4 Pages	8A,50V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers	TMTTaiwan Memory Technology 凯钰科技凯钰科技股份有限公司	TMT
TS8P05G	文件：216.46 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS8P05G	文件：138.52 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase8.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS8P05G	文件：227.83 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase8.0Amps.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS8P05G	文件：49.72 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase8.0Amps.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
RFD8P05
功能描述：
MOSFET TO-251AA P-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多RFD8P05供应商更新时间2025-7-21 16:00:00

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