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RFD16N05LSM	文件：47.83 Kbytes Page：6 Pages	16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-ChannellogiclevelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogiclevel(5V)dri	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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RFD16N05LSM	文件：609.98 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Logic Level Power MOSFET 50V, 16A, 47 m廓 TheseareN-ChannellogiclevelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogiclevel(5V)dri	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD16N05LSM	文件：395.55 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET - Power, N-Channel, Logic Level 50 V, 16 A, 47 m TheseareN−ChannellogiclevelpowerMOSFETsmanufactured usingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizes approachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilization ofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesigned forusewithlogiclevel(5V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RFD16N05LSM	文件：763.3 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
RFD16N05LSM	文件：897.13 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFD16N05LSM9A	文件：609.98 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Logic Level Power MOSFET 50V, 16A, 47 m廓 TheseareN-ChannellogiclevelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogiclevel(5V)dri	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD16N05LSM9A	文件：395.55 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET - Power, N-Channel, Logic Level 50 V, 16 A, 47 m TheseareN−ChannellogiclevelpowerMOSFETsmanufactured usingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizes approachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilization ofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesigned forusewithlogiclevel(5V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RFD16N05LSM9A	文件：491.7 Kbytes Page：6 Pages	Marking：16N05L；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
RFD16N05LSM9A	文件：911.54 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

详细参数

型号：
RFD16N05LSM
功能描述：
MOSFET TO-252AA N-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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