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RFD16N05LSM9A中文资料友台半导体数据手册PDF规格书

RFD16N05LSM9A
厂商型号

RFD16N05LSM9A

功能描述

60V N-Channel MOSFET

丝印标识

16N05L

封装外壳

TO-252

文件大小

491.7 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企业简称

UMW友台半导体

中文名称

广东友台半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 10:22:00

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RFD16N05LSM9A规格书详情

Features

VDS (V) =60V

RDS(ON) < 47mΩ (VGS = 5V)

UIS SOA Rating Curve (Single Pulse)

Design Optimized for 5V Gate Drives

Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, TTL Circuits

SOA is Power Dissipation Limited

Nanosecond Switching Speeds

Linear Transfer Characteristics

High Input Impedance

Majority Carrier Device

产品属性

  • 型号:

    RFD16N05LSM9A

  • 功能描述:

    MOSFET Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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