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RFD16N05SM	文件：414.29 Kbytes Page：8 Pages	16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheRFD16N05andRFD16N05SMN-channelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplication	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD16N05SM	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheRFD16N05andRFD16N05SMN-channelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplication	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD16N05SM	文件：763.27 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
RFD16N05SM	文件：226.37 Kbytes Page：8 Pages	16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD16N05SM	文件：897.27 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFD16N05SM9A	文件：905.07 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

详细参数

型号：
RFD16N05SM
功能描述：
MOSFET TO-252AA N-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多RFD16N05SM供应商更新时间2025-7-25 11:12:00

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