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深圳市芯祺盛科技有限公司

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RFD3055LE

ONTO-251AA

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深圳市坤融电子科技有限公司

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RFD3055LE

FAIRCHILD/仙童TO251

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深圳市华博特电子有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童SOT-251

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深圳市亚泰盈科电子有限公司

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RFD3055LE

FAIRCHILDTO-251

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)DPAK-3

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深圳市汇莱威科技有限公司

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ON/安森美TO252

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深圳市坤融电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO252

4703

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FAIRCHILD/仙童TO-252

120000

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深圳市欧立现代科技有限公司

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15800

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绝对原装现货,价格低,欢迎询购!

深圳市亚泰盈科电子有限公司

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FAIRCHILDSOT-252

30216

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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FAIRCHILDTO252

18600

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市中利达电子科技有限公司

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长源创新-只做原装---假一赔十

中天科工半导体(深圳)有限公司

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RFD3055LE

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onsemiI-PAK

30000

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晶体管-分立半导体产品-原装正品

深圳市坤融电子科技有限公司

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2019+全新原装正品

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标准国际(香港)有限公司

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RFD3055LE1591

1591

瀚佳科技(深圳)有限公司

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深圳市汇莱威科技有限公司

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深圳市惊羽科技有限公司

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深圳市中联芯电子有限公司

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ONSEMI双极型晶体管

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RFD3055LESM价格:¥1.5600品牌:FAIRCHILD

生产厂家品牌为FAIRCHILD的RFD3055LESM多少钱,想知道RFD3055LESM价格是多少?参考价:¥1.5600。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,RFD3055LESM批发价格及采购报价,RFD3055LESM销售排行榜及行情走势,RFD3055LESM报价。

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RFD3055LE功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RFD3055LE_Q功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RFD3055LE_R4470制造商:Fairchild Semiconductor Corporation

RFD3055LE_R4821功能描述:MOSFET N-Ch Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RFD3055LESM功能描述:MOSFET TO-252AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RFD3055LESM_Q功能描述:MOSFET TO-252AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RFD3055LESM9A功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RFD3055LESM9A_R4383制造商:Fairchild Semiconductor Corporation

RFD3055LESM9A_SB82064制造商:Fairchild Semiconductor Corporation

RFD3055LESM9AS2478制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk