| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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FairchildTO-252 |
15800 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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8年
留言
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onsemi(安森美)TO-251 |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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10年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
2648 |
26+ |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
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16年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO251 |
1370 |
26+ |
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十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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9年
留言
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ON/安森美SMD |
20000 |
25+ |
原装 |
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8年
留言
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INTERSILTO-251 |
2575 |
00+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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6年
留言
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ON/安森美TO-251AA |
10000 |
26+ |
原装现货,原厂渠道价格优势 |
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13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
1709 |
21+ |
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7年
留言
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FAIRCHILD/仙童23+ |
6000 |
26+ |
原装现货有上库存就有货全网最低假一赔万 |
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6年
留言
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onsemi(安森美)TO-251 |
75 |
20+ |
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12年
留言
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FAIRCHILDTO-251 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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13年
留言
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTORNA |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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19年
留言
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RFD3055LE1591 |
1591 |
25+ |
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15年
留言
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ON/安森美TO-251AA |
10000 |
26+ |
十年沉淀唯有原装 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO251 |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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6年
留言
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ON/安森美SMD |
30000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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13年
留言
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ON/安森美TO-251AA |
30000 |
26+ |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO251 |
1370 |
23+ |
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14年
留言
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FAIRCILDI-PAK |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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11年
留言
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ON/安森美TO-251AA |
8080 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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RFD3055LE图片
RFD3055LESM价格
RFD3055LESM价格:¥1.5600品牌:FAIRCHILD
生产厂家品牌为FAIRCHILD的RFD3055LESM多少钱,想知道RFD3055LESM价格是多少?参考价:¥1.5600。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,RFD3055LESM批发价格及采购报价,RFD3055LESM销售排行榜及行情走势,RFD3055LESM报价。
RFD3055LE资讯
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RFD3055LE中文资料Alldatasheet PDF
更多RFD3055LE功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LE_Q功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LE_R4821功能描述:MOSFET N-Ch Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LESM功能描述:MOSFET TO-252AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LESM_Q功能描述:MOSFET TO-252AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LESM9A功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LESM9AS2478制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk



























