| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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FSCTO-252 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
6590 |
25+ |
只做原装 |
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4年
留言
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FAIRCHILDTO252 |
7850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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FairchildTO-252 |
15800 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-251 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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8年
留言
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onsemi(安森美)IPAK |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)IPAK |
20948 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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16年
留言
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FSCTO-252 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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10年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
4775 |
26+ |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
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16年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
6895 |
26+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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8年
留言
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VBsemiTO251 |
10065 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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6年
留言
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HARRIS(哈利斯)IPAK |
75 |
20+ |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
22800 |
23+ |
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1年
留言
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RENESASTO-251 |
4731 |
2128+ |
全新原装公司现货 |
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18年
留言
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仙童TO-251 |
5000 |
05+ |
原装进口 |
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10年
留言
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FAIRCHILD |
10000 |
25+ |
普通 |
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14年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
6489 |
2403+ |
原装现货热卖!十年芯路!坚持! |
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19年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
14281 |
18+ |
全新 发货1-2天 |
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21年
留言
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ON/安森美STT223 |
30000 |
25+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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RFD3055图片
RFD3055LESM价格
RFD3055LESM价格：￥1.5600品牌：FAIRCHILD
生产厂家品牌为FAIRCHILD的RFD3055LESM多少钱，想知道RFD3055LESM价格是多少？参考价：￥1.5600。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，RFD3055LESM批发价格及采购报价，RFD3055LESM销售排行榜及行情走势，RFD3055LESM报价。
RFD3055资讯
RFD3055SM TO252 60V12A 仙童 功率MOS管 N沟道
深圳市轩嘉盛电子有限公司RFD3055SM 60V12A TO252 功率MOS管 仙童
RFD3055LESM 諾頓电子科技有限公司
RFD3055LESM HARRIS 10000 2011+ TO-251 ORIGINAL&PACKAGE 洪小姐：0755-82814265 83957714 www.kntew.com
RFD3055中文资料Alldatasheet PDF
更多RFD3055功能描述:MOSFET Power MOSFET N-Ch 60V/12a/0.150 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LE功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LE_Q功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LE_R4821功能描述:MOSFET N-Ch Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LESM功能描述:MOSFET TO-252AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LESM_Q功能描述:MOSFET TO-252AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LESM9A功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD3055LESM9AS2478制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RFD3055RLESM功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
RFD3055RLESM9A制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
