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RFP10P03L	文件：272.14 Kbytes Page：12 Pages	10A,30V,0.200ohm,LogicLevelP-ChannelPowerMOSFET Description TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchas	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
TS10P03G	文件：138.11 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase10.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS10P03G	文件：226.44 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase10.0Amps.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS10P03G	文件：50.04 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase10.0Amps.GlassPassivatedBridgeRectifiers FEATURES -Glasspassivatedjunction -Idealforprintedcircuitboard -TypicalIRlessthan0.1μA -Highsurgecurrentcapability -ULRecognizedFile#E-326243 -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21defini	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS10P03G	文件：244.16 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS10P03G-K	文件：391.15 Kbytes Page：6 Pages	10A,50V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifier FEATURES ●Glasspassivatedjunction ●Idealforprintedcircuitboard ●TypicalIRlessthan0.1μA ●Highsurgecurrentcapability ●ULRecognizedFile#E-326243 ●ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC APPLICATIONS ●Switchingmodepowersupply(SMPS	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
VS10P03LC	文件：686.56 Kbytes Page：5 Pages	lowcapacitanceVSIP짰tvsarray	PROTEC Protek Devices	PROTEC

详细参数

型号：
RFD10P03
功能描述：
MOSFET TO-251 P-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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