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RFD14N05SM	文件：157.91 Kbytes Page：8 Pages	14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD14N05SM	文件：220.35 Kbytes Page：8 Pages	14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD14N05SM	文件：635.43 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
RFD14N05SM9A	文件：157.91 Kbytes Page：8 Pages	14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD14N05SM9A	文件：220.35 Kbytes Page：8 Pages	14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD14N05SM9A	文件：780.12 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
RFP14N05	文件：157.91 Kbytes Page：8 Pages	14A,50V,0.100Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFP14N05L	文件：1.08942 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFP14N05L	文件：214.73 Kbytes Page：8 Pages	14A,50V,0.100Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFP14N05L	文件：213.77 Kbytes Page：8 Pages	14A,50V,0.100Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
RFD14N05SM
功能描述：
MOSFET TO-252AA N-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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