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NXH006P120MNF2PTG | Marking：NXH006P120MNF2PTG；Package：F2HALFBR；Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 6 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package TheNXH006P120MNF2isapowermodulecontainingan6m/ 1200VSiCMOSFEThalf−bridgeandathermistorinanF2package. Features •6m/1200VSiCMOSFETHalf−Bridge •Thermistor •OptionswithPre−AppliedThermalInterfaceMaterial(TIM)and withoutPre−AppliedTIM •OptionswithSo | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号：
NXH006P120MNF2PTG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 功率驱动器模块
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 类型：
MOSFET
- 配置：
半桥逆变器
- 电压 - 隔离：
3000Vrms
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 描述：
SIC MODULES HALF BRIDGE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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