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NXH100B120H3Q0STG | Marking：NXH100B120H3Q0STG；Package：Q0BOOST；Dual Boost Power Module TheNXH100B120H3Q0isapowermodulecontainingadualboost stage.TheintegratedfieldstoptrenchIGBTsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200VUltraFieldStopIGBTs • | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NXH100B120H3Q0STG | Marking：NXH100B120H3Q0STG；Package：Q0BOOST-Case180AJ；Dual Boost Power Module | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号：
NXH100B120H3Q0STG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 配置：
2 个独立式
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，50A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
- 描述：
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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