首页>NXH100B120H3Q0STG>规格书详情

NXH100B120H3Q0STG分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

NXH100B120H3Q0STG
厂商型号

NXH100B120H3Q0STG

参数属性

NXH100B120H3Q0STG 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22

功能描述

Dual Boost Power Module
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22

丝印标识

NXH100B120H3Q0STG

封装外壳

Q0BOOST-Case180AJ / 模块

文件大小

1.44776 Mbytes

页面数量

15

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-8-5 19:30:00

人工找货

NXH100B120H3Q0STG价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

NXH100B120H3Q0STG规格书详情

NXH100B120H3Q0STG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH100B120H3Q0STG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NXH100B120H3Q0STG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    2 个独立式

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON-SEMI
22+
N/A
5832
只做原装正品
询价
ON(安森美)
2511
标准封装
8000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
onsemi
24+
Module
1262
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!!
询价
ON
24+
NA
25000
ON全系列可订货
询价
ON(安森美)
23+
标准封装
8000
正规渠道,只有原装!
询价
onsemi
25+
模块
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
ON
23+
NA
3000
全新原装正品!一手货源价格优势!
询价
ON
23+
原厂原封
20
订货1周 原装正品
询价
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
ON(安森美)
24+
标准封装
8000
原装,正品
询价