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NXH100B120H3Q0STG分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NXH100B120H3Q0STG |
参数属性 | NXH100B120H3Q0STG 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22 |
功能描述 | Dual Boost Power Module |
丝印标识 | |
封装外壳 | Q0BOOST-Case180AJ / 模块 |
文件大小 |
1.44776 Mbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 19:30:00 |
人工找货 | NXH100B120H3Q0STG价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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NXH100B120H3Q0STG规格书详情
NXH100B120H3Q0STG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH100B120H3Q0STG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 产品编号:
NXH100B120H3Q0STG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 配置:
2 个独立式
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,50A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)
- 描述:
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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